Infineon英飞凌_BSB008NE2LX_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSB008NE2LX 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

延长电池寿命/提高系统效率
节省空间（减少所需设备数量）
节省成本

特性

最低导通电阻
高直流和脉冲电流能力
易于设计
双面冷却

参数

类型	描述
Ciss	12000 pF
Coss	3800 pF
最高 ID (@25°C)	180 A
最高 IDpuls	400 A
最高 Ptot	89 W
QG (typ @4.5V)	146 nC
QG (typ @10V)	258 nC
最高 RDS (on) (@10V)	0.8 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	1 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	1 mΩ
Rth	1 K/W
最高 VDS	25 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2 V
安装	SMD
封装	DirectFET(M)
工作温度范围	-40 °C 至 150 °C
微型模板	IRF66MX-25
极性	N
特殊功能	Wide SOA

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BSB008NE2LX

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