Infineon英飞凌_BSB012NE2LXI_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSB012NE2LXI 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

通过减少多相转换器中的相数来节省整体系统成本
降低功率损耗并提高所有负载条件下的效率
使用最小封装（如 CanPAK ™ 、S3O8 或系统级封装解决方案）节省空间
最大限度地降低系统中的 EMI，使外部缓冲网络变得过时，并使产品易于设计

参数

类型	描述
Ciss	4400 pF
Coss	1900 pF
最高 ID (@25°C)	170 A
最高 IDpuls	400 A
最高 Ptot	57 W
QG (typ @10V)	62 nC
QG (typ @4.5V)	30 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.2 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	1.6 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	1.6 mΩ
最高 RthJC	1 K/W
Rth	1 K/W
最高 VDS	25 V
VGS(th) 范围	1.2 V 至 2 V
安装	SMD
封装	DirectFET(M)
工作温度范围	-40 °C 至 150 °C
微型模板	IRF66MX-25
极性	N
特殊功能	Monolithically Integrated Schottky-like Diode
预算价格€/1k	0.75

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BSB012NE2LXI

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