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ISC009N06LM5

现货,推荐

ISC009N06LM5 是英飞凌采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS ™ MOSFET,它扩展了 OptiMOS ™ 5 和 3 产品组合,除了提高稳健性之外,还实现了更高的功率密度,满足了降低系统成本和提高性能的需求。低反向恢复电荷 (Qrr) 可显著降低电压过冲,从而提高系统可靠性,最大限度地减少对缓冲电路的需求,从而减少工程成本和工作量。

Infineon英飞凌 ISC009N06LM5 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 降低满载温度
  • 减少并联
  • 减少过冲
  • 提高系统功率密度
  • 减小尺寸
  • 降低系统成本
  • 减少工程成本和工作量

特性


  • 同类最佳 (BIC) 产品
  • 实现最高功率密度
  • 更高的工作温度额定值,可达 175°C
  • 出色的热性能
  • 更低的反向恢复电荷

应用


汽车车身电子与电力分配, 汽车二次配电单元, 轻型电动车解决方案, 多旋翼飞机和无人机, 边缘服务器解决方案

参数


类型

描述

最高 ID (@25°C)

348 A

QG (typ @10V)

157 nC

QG (typ @4.5V)

77 nC

最高 RDS (on) (@10V)

0.9 mΩ

最高 RDS (on) (@4.5V)

1.1 mΩ

最高 VDS

60 V

VGS(th) 范围

1.1 V 至 2.3 V

封装

SuperSO8 5x6

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

极性

N

特殊功能

Logic Level, Fused leads

预算价格€/1k

1.65

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