Infineon英飞凌_IRF7341_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF7341 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

符合 RoHS 规定
低 RDS(on)
动态 dv/dt 额定值
快速切换
双 N 沟道 MOSFET

应用

移动设备和智能手机解决方案, 家用电器

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	4.7 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2 W
Qgd (typ)	7 nC
QG (typ @10V)	24 nC
最高 RDS (on) (@4.5V)	65 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	50 mΩ
最高 RthJA	62.5 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	55 V
最低 VGS(th)	1 V
最高 VGS	20 V
封装	SO-8
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N+N
湿度敏感等级	1
特殊功能	Logic Level
预算价格€/1k	0.17

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