Infineon英飞凌_IQE046N08LM5CGSC_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQE046N08LM5CGSC 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

实现最高功率密度
卓越的热性能
高效的空间利用布局
简化的 MOSFET 并联

特性

逻辑级别允许更低的 Qrr 和 QOSS
与当前 PQFN 相比，RDS(on) 降低了高达 30%
改进了 RthJC
全新、优化的布局可能性
针对并联进行了优化的中心栅极

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	99 A
最高 IDpuls	396 A
最高 Ptot	100 W
QG (typ @4.5V)	19 nC
QG (typ @10V)	38 nC
最高 RDS (on) (@10V)	4.6 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	5.9 mΩ
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	1.1 V 至 2.3 V
VGS(th)	1.7 V
封装	PQFN 3.3x3.3 Source-Down
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level, Center-Gate Dual-Side Cooling
预算价格€/1k	1.02

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IQE046N08LM5CGSC

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