Infineon英飞凌_IQE046N08LM5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQE046N08LM5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

实现最高功率密度
卓越的热性能
高效的空间利用布局
简化的 MOSFET 并联

特性

逻辑层允许更低的 Q_rr
将 R_DS(on) 降低高达 30%
相比 PQFN，R_thJC 有所改进
针对并联进行了中心栅极优化

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	99 A
最高 IDpuls	396 A
最高 Ptot	100 W
QG (typ @4.5V)	19 nC
QG (typ @10V)	38 nC
最高 RDS (on) (@4.5V)	5.9 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	4.6 mΩ
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	1.1 V 至 2.3 V
VGS(th)	1.7 V
封装	PQFN 3.3x3.3 Source-Down
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level
预算价格€/1k	1.06

MDD辰达半导体功率TVS新升级：封装不变，功率倍增上一篇下一篇 TI德州仪器 AD724 产品介绍

最新文章

Infineon英飞凌 IMW65R010M2H 产品介绍

采用 TO-247-3 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、10 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础，能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。

2026-04-14 211次

Infineon英飞凌 AIMBG75R050M2H 产品介绍

CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势，具有栅极驱动灵活性，可实现简化且高效的系统设计，从而实现最高效率和功率密度。创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势，提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。

2026-04-14 274次

Infineon英飞凌 BAT15-02ELS 产品介绍

这款英飞凌射频肖特基二极管是一款硅低势垒 N 型器件，片上集成有保护环，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使 BAT15-02ELS 成为频率高达 12 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择。

2026-04-14 265次

Infineon英飞凌 IMW120R060M1H 产品介绍

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、60 mΩ G1 采用 TO247-3 封装，基于最先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，兼具性能和可靠性。这些包括 SiC 开关中看到的最低栅极电荷和器件电容水平、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗和无阈值导通特性。

2026-04-14 325次

Infineon英飞凌 IMCQ120R078M2H 产品介绍

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装，专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。

2026-04-14 302次

更多资讯

* 我的问题/建议：
* 联系电话：
上传图片（选填）：	请您提交2M以内的jpg,gif,png格式文件
投诉订单号（选填）：

h1_key

IQE046N08LM5

产品详情

特性

参数

4000-306-326