Infineon英飞凌_IQE031N08LM6CG_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQE031N08LM6CG 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

Enables highest power density & performance
Superior thermal performance
Efficient layout for space use
Simplified MOSFET parallelization
Improved PCB losses

特性

Logic level allows lower Q_rr and Q_OSS
Center Gate optimized for paralleling
Up to 35% lower R_DS(on) vs previous Gen
New, optimized layout possibilities

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	127 A
最高 IDpuls	508 A
QG (typ @4.5V)	26 nC
QG (typ @10V)	54 nC
最高 RDS (on) (@10V)	3.15 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	4 mΩ
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	1.1 V 至 2.3 V
VGS(th)	1.7 V
封装	PQFN 3.3x3.3 Source-Down
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level, Center Gate

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IQE031N08LM6CG

IQE031N08LM6CG is Infineon’s new best-in-class OptiMOS™ 6 power MOSFET 80 V logic level in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate (CG) package, offering the industry’s lowest on-state resistance RDS(on) at 25˚C , superior thermal performance, and optimized parallelization.

产品详情

特性

参数

4000-306-326