Infineon英飞凌_IQE022N06LM5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQE022N06LM5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

实现最高功率密度
卓越的热性能
高效的空间利用布局
减少 PCB 损耗

特性

低 Qrr&Q_OSS 的逻辑级别
将 R_DS(on) 降低高达 30%
与现有 PQFN 相比，R_thJC 有所降低
全新、优化的布局可能性

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	151 A
最高 IDpuls	604 A
最高 Ptot	100 W
QG (typ @4.5V)	26 nC
QG (typ @10V)	53 nC
最高 RDS (on) (@10V)	2.2 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	2.9 mΩ
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	1.1 V 至 2.3 V
VGS(th)	1.7 V
封装	PQFN 3.3x3.3 Source-Down
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Logic Level
预算价格€/1k	1.01

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IQE022N06LM5

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