Infineon英飞凌_IPTC014N08NM5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPTC014N08NM5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高效延长电池寿命
高功率密度
卓越的热性能
节省冷却系统
最大限度地减少散热器的热阻

特性

低 R_DS(on)
高额定电流 >300 A
顶部冷却
负隔离
无锡裸露焊盘

应用

轻型电动车解决方案

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	330 A
最高 IDpuls	1320 A
最高 Ptot	300 W
QG (typ @10V)	144 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.4 mΩ
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.8 V
VGS(th)	3 V
安装	SMT
封装	TOLT (HDSOP-16)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	16 Pins
极性	N
蓄电池电压	36-48 V
预算价格€/1k	1.88

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IPTC014N08NM5

IPTC014N08NM5 是 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 的一部分，采用 TOLT：TO 引线顶部冷却封装，具有卓越的热性能。这种创新封装与 OptiMOS ™ 5 技术的主要特性相结合，可实现 80 V 的一流产品以及高额定电流 (> 300 A)，适用于高功率密度设计。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326