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Infineon英飞凌 ISC009N06NM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

Lower conduction losses than OptiMOS™ 5
Lower switching losses than OptiMOS™ 5
Improved performance efficiency
Superior power handling capability
Robust reliable performance

特性

High performance silicon technology
Soft-switching optimized
Normal level gate drive
175°C rated
Industrial qualification

应用

通用电机驱动器, 电信基础设施, 电池管理系统（BMS）, 服务器电源解决方案, DC-DC 电源转换

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	344 A
QG (typ @10V)	97 nC
最高 RDS (on) (@10V)	0.9 mΩ
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	2.1 V 至 3.3 V
VGS(th)	2.7 V
封装	SuperSO8 5x6 FL
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N

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ISC009N06NM6

与前代产品 OptiMOS™ 5 相比，英飞凌最新的晶圆技术实现了显著的性能提升，包括 RDS(on) 降低 37% 以上，FOMQg x RDS(on) 提高约 25%。这些性能提升可提高软开关拓扑和低电平频率应用中的系统效率和功率密度。

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特性

应用

参数

4000-306-326