Infineon英飞凌_ISG0614N06NM5H_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISG0614N06NM5H 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

Minimized conduction losses
Reduced voltage overshoot
High power capability
Superior thermal performance
Lowest loop inductance
Superior switching performance/EMI

特性

Cutting edge OptiMOS™ silicon technology
Outstanding FOMs
High chip/package ratio
Optimized lead-frame and Cu-clip design
Internally connected Q1/Q2 MOSFETs
Compact and simplified layout design

应用

电信基础设施, 光伏, 服务器电源解决方案

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	233 A
QG (typ @10V)	68 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.6 mΩ
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	2.1 V 至 3.3 V
VGS(th)	2.8 V
封装	Power Block 6.3x6
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Symmetrical Half-bridge

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ISG0614N06NM5H

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