Infineon英飞凌_IQE036N08NM6CGSC_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQE036N08NM6CGSC 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

Lower conduction losses than OptiMOS™ 5
Lower switching losses than OptiMOS™ 5
Improved heat dissipation
Improved power, SOA & avalanche current
Robust reliable performance

特性

High performance silicon technology
Normal level gate drive
175°C rated
Industrial qualification

应用

电信基础设施, 光伏, 服务器电源解决方案, DC-DC 电源转换

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	118 A
最高 IDpuls	472 A
QG (typ @10V)	30 nC
最高 RDS (on) (@10V)	3.6 mΩ
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	2.4 V 至 3.5 V
VGS(th)	3 V
封装	PQFN 3.3x3.3 Source-Down
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Center Gate Dual Side Cooling

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IQE036N08NM6CGSC

OptiMOS™ 6 80 V - the latest power MOSFET technology offering industry benchmark performance. Compared to its predecessor, OptiMOS™ 5, Infineon's latest wafer technology offers significant performance improvement resulting to higher system efficiency and power density.

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特性

应用

参数

4000-306-326