Infineon英飞凌_IPB014N08NM6_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPB014N08NM6 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

Lower conduction losses than OptiMOS™ 5
Lower switching losses than OptiMOS™ 5
Improved heat dissipation
Improved power, SOA & avalanche current
Robust reliable performance

特性

High performance silicon technology
Normal level gate drive
175°C rated
Industrial qualification

应用

光伏, 马达控制, DC-DC 电源转换

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	169 A
最高 IDpuls	676 A
QG (typ @10V)	151 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.4 mΩ
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	2.4 V 至 3.5 V
VGS(th)	3 V
封装	D2PAK (TO-263)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N

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IPB014N08NM6

OptiMOS™ 6 80 V - the latest power MOSFET technology offering industry benchmark performance. Compared to its predecessor, OptiMOS™ 5, Infineon's latest wafer technology offers significant performance improvement resulting to higher system efficiency and power density.

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326