Infineon英飞凌_ISC016N08NM8SC_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISC016N08NM8SC 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

High system efficiency
Superior power handling capability
High power density designs
Improved reliability
Longer lifetime

特性

Very low on-resistance
High-performance silicon technology
Compatible with PQFN 5x6
Industry-standard footprint

应用

数据中心及 AI 数据中心解决方案, 电信基础设施, 光伏, 工业和消费类BMS, 服务器电源解决方案

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	241 A
最高 Ptot (@25°C)	211 W
最高 QG (typ @10V)	99 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.64 mΩ
最高 VDS	80 V
最低 VGS(th)	-20 V
VGS(th)	20 V
封装	SuperSO8 5x6 DSC
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Dual-Side Cooling

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ISC016N08NM8SC

The OptiMOS™ 8 power MOSFET in SuperSO8 DSC (dual-side cooling) package offers all thermal management benefits of dual-side cooling solutions with an industry-standard footprint.

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应用

参数

4000-306-326