Infineon英飞凌_ISC016N08NM8_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISC016N08NM8 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

Highest efficiency & power density
High system reliability
Thermal robustness
175°C junction temperature rating

特性

Very low on-resistance
High-performance silicon technology
High current carrying capability
Industry-standard footprint

应用

数据中心及 AI 数据中心解决方案, 电信基础设施, 光伏, 工业和消费类BMS, 服务器电源解决方案

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	241 A
最高 IDpuls (@25°C)	964 A
最高 Ptot (@25°C)	211 W
最高 QG (typ @10V)	99 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.64 mΩ
VGS(th) 范围	2.5 V 至 3.5 V
VGS(th)	3 V
封装	SuperSO8 5x6
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Fused leads

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ISC016N08NM8

This OptiMOS™ 8 is a normal level 80 V MOSFET in SuperSO8 packaging with 1.6 mOhm on-resistance.

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4000-306-326