Infineon英飞凌_IPB019N08NF2S_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPB019N08NF2S 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

多供应商兼容性
合适的产品
支持各种各样的应用
标准引脚排列，可直接替换
更高的电流承载能力

特性

广泛的分销合作伙伴
卓越的性价比
适用于高和低开关频率
标准通孔封装尺寸
高额定电流

应用

BMS汽车电池管理系统

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	166 A
最高 IDpuls	664 A
最高 Ptot	250 W
QG (typ @10V)	124 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.95 mΩ
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.8 V
VGS(th)	3 V
封装	D2PAK (TO-263)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
蓄电池电压	36-48 V
预算价格€/1k	1.25

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IPB019N08NF2S

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 80 V 具有 1.9 mOhm 的低 RDS(on) ，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326