Infineon英飞凌_IQD016N08NM5CG_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQD016N08NM5CG 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最小化传导损耗
降低电压过冲
提高最大电流能力
快速开关
减少器件并联
中心栅极实现最佳并联
5x6 mm² PCB 上最低的 R_DS(on)
增强的热管理
最小的寄生效应，最佳的开关
行业标准封装

特性

OptiMOS ™ 80 V，具有出色的 FOM
具有散热功能的 Source-Down 封装
具有最大化芯片比的 Source-Down 封装
采用中心栅极封装的 Source-Down 封装

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	323 A
最高 IDpuls	1292 A
QG (typ @10V)	106 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.57 mΩ
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.8 V
VGS(th)	3 V
封装	PQFN 5x6 Source-Down
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Center-Gate
预算价格€/1k	1.88

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IQD016N08NM5CG

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