Infineon英飞凌_IPTG007N06NM5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPTG007N06NM5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高性能
高系统可靠性
高效率和低 EMI
优化电路板利用率
高热循环电路板处理

特性

一流的技术
高额定电流 >300 A
低振铃和电压过冲
减少 60% 的电路板空间
鸥翼形引线

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	454 A
最高 IDpuls	1816 A
最高 Ptot	375 W
QG (typ @10V)	216 nC
最高 RDS (on) (@10V)	0.75 mΩ
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	2.1 V 至 3.3 V
VGS(th)	2.8 V
安装	SMT
封装	TOLG (HSOG-8)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	8 Pins
极性	N
蓄电池电压	24-36 V
预算价格€/1k	2.61

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IPTG007N06NM5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60 V IPTG007N06NM5 采用改进的 TO 引线封装，带有鸥翼形引线。与 D2PAK 7 引脚相比，TOLG 具有出色的电气性能，且电路板空间减少了约 60%，提供非常低的 RDS(on)，并且针对处理 300 A 大电流进行了优化。

产品详情

特性

参数

4000-306-326