Infineon英飞凌_IQE030N06NM5CGSC_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQE030N06NM5CGSC 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

实现最高功率密度
卓越的热性能
高效的空间利用布局
简化的 MOSFET 并联
改善 PCB 损耗
减少寄生效应

特性

R_DS(on)大幅降低30%
与当前PQFN相比，R_thJC降低
提供标准栅极和中心栅极
全新、优化的布局可能性

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	132 A
最高 ID	132 A
最高 IDpuls	528 A
最高 Ptot	100 W
QG (typ @10V)	39 nC
QG	39 nC
最高 RDS (on) (@10V)	3 mΩ
最高 RDS (on)	3 mΩ
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	2.1 V 至 3.3 V
VGS(th)	2.8 V
封装	PQFN 3.3x3.3 Source-Down
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Center-Gate Dual-Side Cooling
预算价格€/1k	1

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IQE030N06NM5CGSC

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4000-306-326