Infineon英飞凌_ISC018N08NM6SC_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISC018N08NM6SC 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

传导损耗低于 OptiMOS ™ 5
开关损耗比 OptiMOS ™ 5 更低
改善散热
改进的功率、SOA 雪崩电流
强劲可靠的性能
SuperSO8 的直接替代品

特性

高性能硅技术
低导通电阻 (R_DS(on)
低顶部 R_thJC (0/72 K/W)
正常电平栅极驱动
额定温度为 175°C
行业资质

应用

电信基础设施, 光伏, 服务器电源解决方案, DC-DC 电源转换

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	230 A
QG (typ @10V)	63 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.8 mΩ
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	2.4 V 至 3.5 V
VGS(th)	3 V
封装	SuperSO8 5x6 DSC
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
特殊功能	Dual-Side Cooling

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ISC018N08NM6SC

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