Infineon英飞凌_IQFH61N06NM5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQFH61N06NM5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

Minimized conduction losses
High power capability
Superior device performance
Reduced voltage overshoot
Superior thermal performance
Re-use board for multiple power levels
Superior switching performance/EMI

特性

Cutting edge OptiMOS™ silicon technology
Outstanding FOMs
High chip/package ratio
Optimized lead-frame and Cu-Clip design
Internally connected Q1/Q2 MOSFETs
Compact and simplified layout design
Dual-side cooling

应用

轻型电动车解决方案, 电动自行车解决方案, 多旋翼飞机和无人机, 电动工具, 机器人, 电池管理系统（BMS）

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	510 A
QG (typ @10V)	190 nC
最高 RDS (on) (@10V)	0.61 mΩ
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	2.1 V 至 3.3 V
VGS(th)	2.8 V
封装	PQFN 8x6
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N

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IQFH61N06NM5

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