Infineon英飞凌_IQD016N08NM5SC_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IQD016N08NM5SC 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最小化传导损耗
降低电压过冲
提高最大电流能力
快速切换
所需设备并联更少
5x6 尺寸上最低的 R_DS(on)
改善热性能
轻松实现热管理
最佳切换性能
行业标准软件包

特性

尖端 80 V 硅技术
出色的 FOM
改善热性能
超低寄生效应
最大化芯片/封装比

应用

BMS汽车电池管理系统, 低压驱动, 电信基础设施, 开关模式电源（SMPS）, 服务器电源解决方案

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	323 A
QG (typ @10V)	106 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.57 mΩ
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.8 V
VGS(th)	3 V
封装	PQFN 5x6 Source-Down
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N

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IQD016N08NM5SC

功率 MOSFET IQD016N08NM5SC 具有 1.57 mOhm 的低 RDS(on) 以及出色的热性能，可轻松实现功率损耗管理。此外，与包覆成型封装相比，双面冷却封装可消散五倍以上的功率。这使得各种终端应用的系统效率和功率密度更高。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326

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IQD016N08NM5SC

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