Infineon英飞凌_2N7002_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 2N7002 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

增强模式
逻辑电平
雪崩额定
快速切换
无铅镀铅

符合RoHS标准

无卤素

应用

空间功率应用, 座椅控制模块, 汽车48V电池管理系统(BMS), 48 V 中间总线转换器 (IBC), 边缘服务器解决方案

参数

类型	描述
Ciss	13 pF
Coss	4.1 pF
最高 ID (@25°C)	0.3 A
最高 IDpuls	1.2 A
最高 Ptot	0.5 W
QG (typ @10V)	0.4 nC
最高 RDS (on) (@10V)	3000 mΩ
最高 RthJA	250 K/W
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	1.5 V 至 2.5 V
VGS(th)	2.1 V
封装	SOT-23
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
特殊功能	Small Signal
预算价格€/1k	0.02

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2N7002

2N7002 是采用小型表面贴装封装的 n 沟道增强型 MOSFET，具有卓越的开关性能。该产品特别适合低电压、低电流应用。

特性

应用

参数

4000-306-326