Infineon英飞凌_IRF60SC241_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF60SC241 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

降低传导损耗
提高功率密度
直接替换现有设备
提供设计灵活性
在嘈杂环境中防止误开启

特性

低 R_DS(on)
高电流能力
行业标准封装
灵活的引脚排列
针对 10 V 栅极驱动进行了优化

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	360 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2.4 W
Qgd	95 nC
QG (typ @10V)	311 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.3 mΩ
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.7 V
最高 VGS	20 V
安装	SMD
封装	D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
蓄电池电压	24-36 V
预算价格€/1k	1.79

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IRF60SC241

英飞凌最新的 60 V StrongIRFET ™功率 MOSFET 器件针对高电流和低 RDS(on) 进行了优化，使其成为高电流电池供电应用的理想解决方案。

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特性

参数

4000-306-326