Infineon英飞凌_IPC218N06N3_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPC218N06N3 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

最高的系统效率
更少的并联需求
更高的功率密度
降低系统成本
极低的电压过冲

特性

针对同步整流进行了优化
与其他器件相比，R 值低 15%
比同类器件高 31% FOM
集成肖特基类二极管

参数

类型	描述
EAS/雪崩能量	500 mJ
RDS (on)	1.3 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	100 mΩ
最高 VBRDSS	60 V
VDS	60 V
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	2 V 至 4 V
厚度	205
技术	OptiMOS™ 3
极性	N
模式	Enhancement
芯片尺寸 (-) 范围	3.7 mm² 至 5.9 mm²
芯片尺寸 (Area)	21.83 mm²
芯片尺寸 (Y)	3.7 mm
芯片尺寸 (X)	5.9 mm
输出驱动器	1
预算价格€/1k	2.05

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IPC218N06N3

英飞凌最新一代功率 MOSFET —— OptiMOS ™ 40V 和 60V 针对服务器和台式机等开关电源 (SMPS) 中的同步整流进行了优化。此外，这些设备是广泛工业应用的完美选择，包括电机控制、电信、太阳能微型逆变器和快速开关 DC-DC 转换器。

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特性

参数

4000-306-326