Infineon英飞凌_IPC302NE7N3_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPC302NE7N3 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

“最高的系统效率
“更少的并联需求
“更高的功率密度
“降低系统成本
“极低的电压过冲

特性

“针对同步整流的优化技术“业界最低的
R_{DS(on)“全球最低的}
FOM“极低的
Q_g 和 Q_gd

参数

类型	描述
EAS/雪崩能量	40 mJ
RDS (on)	1.2 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	100 mΩ
最高 VBRDSS	75 V
VDS	75 V
最高 VDS	75 V
VGS(th) 范围	2.3 V 至 3.8 V
厚度	175
技术	OptiMOS™ 3
极性	N
模式	Enhancement
芯片尺寸 (-) 范围	4.5 mm² 至 6.7 mm²
芯片尺寸 (Y)	4.5 mm
芯片尺寸 (Area)	30.15 mm²
芯片尺寸 (X)	6.7 mm
输出驱动器	1

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IPC302NE7N3

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