Infineon英飞凌_BSB104N08NP3 G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSB104N08NP3 G 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

针对 DC-DC 转换器进行了优化
出色的栅极电荷
卓越的热阻
双面冷却
低寄生电感
薄型 (<0.7mm)
N 沟道，正常电平
100% 雪崩测试
无铅电镀；符合 RoHS 标准

应用

功率优化器解决方案

参数

类型	描述
Ciss	1600 pF
Coss	430 pF
最高 ID (@25°C)	50 A
最高 IDpuls	200 A
最高 Ptot	42 W
QG (typ @10V)	23 nC
最高 RDS (on) (@10V)	10.4 mΩ
最高 RthJA	45 K/W
最高 RthJC	3 K/W
Rth	3 K/W
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	2 V 至 3.5 V
VGS(th)	2.7 V
封装	DirectFET (M)
工作温度范围	-40 °C 至 150 °C
微型模板	IRF66MP-25
极性	N
预算价格€/1k	0.4, 0.4

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BSB104N08NP3 G

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特性

应用

参数

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