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IRFR1205

在产

IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺,为设计人员提供了丰富的器件组合,以支持各种应用,例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品,都是行业标准封装,便于设计。

Infineon英飞凌 IRFR1205 产品介绍
2026-04-14 0次

产品详情


  • 增强坚固性
  • 分销渠道广泛
  • 行业标准资质水平
  • 高性能、低频率
  • 标准引脚排列,直接替换

特性


  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 符合 JEDEC 的产品认证
  • 针对应用进行了优化的硅片
  • 行业标准表面贴装功率

应用


医疗保健

参数


类型

描述

最高 ID (@25°C)

44 A

最高 Ptot

69 W

Qgd

18 nC

QG (typ @10V)

43.3 nC

最高 RDS (on) (typ @10V)

27 mΩ

最高 RthJC

1.8 K/W

最高 Tj

175 °C

最高 VDS

55 V

VGS(th) 范围

2 V 至 4 V

VGS(th)

3 V

最高 VGS

20 V

安装

SMD

封装

DPAK (TO-252)

工作温度 范围

-55 °C 至 175 °C

极性

N

湿度敏感等级

1

预算价格€/1k

0.24

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    2026-04-14 274次
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    2026-04-14 326次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 303次
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