Infineon英飞凌_IPB031NE7N3 G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPB031NE7N3 G 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

环保
提高效率
最高功率密度
所需并联更少
最小的电路板空间消耗
易于设计的产品

特性

优化的同步整流技术
最佳开关性能
全球最低的 R _DS(on)
极低的 Q _g 和 Q _gd
优异的栅极电荷 x R _DS(on) 乘积 (FOM)
符合 RohS 标准 - 无卤素
MSL3 级

参数

类型	描述
Ciss	6110 pF
Coss	1380 pF
最高 ID (@25°C)	100 A
最高 IDpuls	400 A
最高 Ptot	214 W
QG (typ @10V)	88 nC
最高 RDS (on) (@10V)	3.1 mΩ
Rth	0.7 K/W
最高 VDS	75 V
VGS(th) 范围	2.3 V 至 3.8 V
VGS(th)	3.1 V
封装	D2PAK (TO-263)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	1.41

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IPB031NE7N3 G

75V OptiMOS ™技术专门用于同步整流应用。这些 75V 产品基于领先的 80V 技术，同时具有最低的导通电阻和卓越的开关性能。

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特性

参数

4000-306-326