Infineon英飞凌_IRFB7730_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRFB7730 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
产品符合 JEDEC 标准
针对 10 V 栅极驱动电压（称为正常电平）进行了优化
针对低于 <100 kHz 开关应用进行了硅优化
与上一代硅片相比，体二极管更软
行业标准通孔功率封装
高电流承载能力封装（高达 195 A，取决于芯片尺寸）
可进行波峰焊

应用

BMS汽车电池管理系统, 无线电动工具, 48 V 中间总线转换器 (IBC)

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	195 A
最高 Ptot	375 W
Qgd	79 nC
QG (typ @10V)	271 nC
最高 RDS (on) (@10V)	2.6 mΩ
最高 RthJC	0.4 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	75 V
VGS(th) 范围	2.1 V 至 3.7 V
VGS(th)	2.9 V
最高 VGS	20 V
安装	THT
封装	TO-220
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	1.19

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