Infineon英飞凌_IRL60SL216_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRL60SL216 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

分销合作伙伴广泛供应
行业标准资质水平
标准引脚排列允许直接替换
高功率密度

特性

针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
产品符合 JEDEC 标准
行业标准通孔电源封装
高额定电流

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	298 A
最高 Ptot	375 W
Qgd	80 nC
QG (typ @4.5V)	170 nC
最高 RDS (on) (@4.5V)	2.2 mΩ
最高 RDS (on) (@10V)	1.95 mΩ
最高 RthJC	175 K/W, 0.4 K/W
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	1 V 至 2.4 V
VGS(th)	1.7 V
最高 VGS	20 V
安装	THT
封装	I2PAK (TO-262)
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
极性	N
预算价格€/1k	3.51

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IRL60SL216

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

参数

4000-306-326

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IRL60SL216

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