Infineon英飞凌_IRF60R217_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRF60R217 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

广泛分布
行业标准资质水平
标准引脚排列的直接替换
高性能、低频率

特性

针对最广泛的可用性进行了优化
产品符合 JEDEC 认证
行业标准表面贴装封装
针对开关频率 <100kHz

进行了硅片优化

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	58 A
最高 Ptot	83 W
Qgd	12 nC
QG (typ @10V)	40 nC
最高 RDS (on) (@10V)	9.9 mΩ
最高 RthJC	1.8 K/W, 175 K/W
最高 VDS	60 V
VGS(th) 范围	2.1 V 至 3.7 V
VGS(th)	2.9 V
最高 VGS	20 V
安装	SMD
封装	DPAK (TO-252)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
湿度敏感等级	1
预算价格€/1k	0.44

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IRF60R217

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

产品详情

特性

参数

4000-306-326

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