Infineon英飞凌 IPD053N06N 产品介绍
2026-04-14
0次
产品详情
- 最高的系统效率
- 更少的并联需求
- 更高的功率密度
- 降低系统成本
- 极低的电压过冲
特性
- 针对同步整流进行了优化
- 与其他器件相比,RDSon 降低 40%
- FOM 比同类器件高 40%
- 符合 RoHS 标准 - 无卤素
- MSL1 级
参数
类型 | 描述 |
Ciss | 2000 pF |
Coss | 490 pF |
最高 ID (@25°C) | 45 A |
最高 IDpuls | 180 A |
最高 Ptot | 83 W |
QG (typ @10V) | 27 nC |
最高 RDS (on) (@10V) | 5.3 mΩ |
Rth | 1.8 K/W |
最高 VDS | 60 V |
VGS(th) 范围 | 2.1 V 至 3.3 V |
VGS(th) | 2.8 V |
封装 | DPAK (TO-252) |
工作温度 范围 | -55 °C 至 175 °C |
极性 | N |
预算价格€/1k | 0.41 |



购物车中还没有商品,赶紧选购吧!

现货,推荐








