Infineon英飞凌_IRL60SC216_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IRL60SC216 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

降低传导损耗
提高功率密度
直接替换现有设备
提供设计灵活性
在嘈杂环境中提供对误开启的免疫力
可在低电池电量条件下驱动

特性

低 R_DS(on)
高电流能力
行业标准封装
灵活的引脚排列
针对 5 V 栅极驱动进行了优化

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	324 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2.4 W
Qgd (typ)	78 nC
QG (typ @10V)	174 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.5 mΩ
最高 RthJC	0.4 K/W
最高 Tj	175 °C
最高 VDS	60 V
最高 VGS(th)	2.4 V
VGS(th)	1 V
安装	SMD
封装	D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	1.89

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IRL60SC216

英飞凌最新的逻辑电平 60 V StrongIRFET ™功率 MOSFET 器件针对高电流和低 RDS(on) 进行了优化，使其成为高电流电池供电应用的理想解决方案。

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特性

参数

4000-306-326