Infineon英飞凌_IPTG018N08NM5_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPTG018N08NM5 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

高性能
高系统可靠性
高效率和低 EMI
优化电路板利用率
高热循环电路板处理

特性

一流的技术
高额定电流 >300 A
低振铃和电压过冲
减少 60% 的电路板空间
鸥翼形引线

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	253 A
QG (typ @10V)	101 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1.8 mΩ
最高 VDS	80 V
VGS(th) 范围	2.2 V 至 3.8 V
VGS(th)	3 V
封装	TOLG (HSOG-8)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	N
预算价格€/1k	2.07

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IPTG018N08NM5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 150 V IPTG018N08NM5 采用改进的 TO 引线封装，带有鸥翼形引线。TOLG 具有与 TO-Leadless 兼容的封装尺寸，与 D2PAK 7 针相比，可提供出色的电气性能，且电路板空间减少约 60%。

产品详情

特性

参数

4000-306-326