Infineon英飞凌_DF4-19MR20W3M1HF_B11_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 DF4-19MR20W3M1HF_B11 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

同类最佳封装：12 毫米高度
2000 V CoolSiC ™ MOSFET
栅极驱动电压：+15…+18 V 和 0…-5 V
最大。栅极-源极电压：+23 V 和 -10 V
Tvjop 处于过载条件下。< 175°C
PressFIT 引脚

应用

Battery energy storage (BESS), 电动汽车充电, 单相串联逆变器解决方案

参数

类型	描述
RDS (on) (@ Tj = 25°C)	19 mΩ
封装	Easy 3B
尺寸 (length)	109.9 mm
尺寸 (width)	62 mm
应用	Solar, UPS
特性	PressFIT
认证标准	Industrial
配置	Booster

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DF4-19MR20W3M1HF_B11

EasyPACK ™ 3B CoolSiC ™ MOSFET 2000 V 60 A 升压模块，带 PressFit PIN 和 NTC。

特性

应用

参数

4000-306-326