Infineon英飞凌_ISP650P06NM_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 ISP650P06NM 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

轻松与 MCU 接口
低负载下效率更高
快速切换
抗雪崩能力强

特性

V_DS = -60V
宽R_DS(on)范围
逻辑电平可用性

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	-3.7 A
最高 IDpuls	-14.8 A
最高 Ptot	4.2 W
QG (typ @10V)	-39 nC
最高 RDS (on) (@10V)	65 mΩ
最高 VDS	-60 V
VGS(th) 范围	-2.1 V 至 -4 V
封装	SOT-223
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	P
特殊功能	Small Power
预算价格€/1k	0.43

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ISP650P06NM

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