Infineon英飞凌_IPD25DP06LM_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPD25DP06LM 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

轻松与 MCU 接口
低 Q_g
快速开关
雪崩耐受性

特性

V_DS = -60V
宽R_DS(on)范围
正常电平和逻辑电平可用性

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	-6.5 A
最高 ID (@ TC=25°C)	-6.5 A
最高 IDpuls	-26 A
最高 Ptot	28 W
QG (typ @10V)	-13.8 nC
最高 RDS (on) (@10V)	250 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	310 mΩ
最高 VDS	-60 V
VGS(th)	-1.5 V
封装	DPAK (TO-252)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	3 Pins
极性	P
预算价格€/1k	0.29

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IPD25DP06LM

DPAK 封装的 OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 60V 适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用。P 沟道器件的主要优点是降低了中低功率应用中的设计复杂性。它与 MCU 的简单接口、快速切换以及雪崩强度使其适用于高质量要求的应用。

产品详情

特性

参数

4000-306-326

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IPD25DP06LM

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