Infineon英飞凌_IPD042P03L3 G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPD042P03L3 G 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

增强模式
逻辑电平
雪崩额定值
快速开关
dv/dt 额定值

无铅镀铅

符合 RoHS 标准，无卤素

符合 AEC Q101 要求

应用

工业自动化, DIN 导轨电源解决方案

参数

类型	描述
Ciss	9290 pF
Coss	3570 pF
最高 ID (@25°C)	-70 A
最高 IDpuls	-280 A
最高 Ptot	150 W
QG (typ @10V)	131 nC
最高 RDS (on) (@10V)	4.2 mΩ
Rth	1 K/W
最高 VDS	-30 V
VGS(th) 范围	-2 V 至 -1 V
封装	DPAK (TO-252)
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
极性	P
预算价格€/1k	0.62

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IPD042P03L3 G

英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

应用

参数

4000-306-326