Infineon英飞凌_IPB110P06LM_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 IPB110P06LM 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

轻松连接 MCU
低负载、低 Qg 时效率提升
快速开关
雪崩耐受性

特性

V_DS = -60V
宽R_DS(on)范围
正常和逻辑电平可用性

应用

电源适配器和充电器, DIN 导轨电源解决方案, 电信基础设施

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	-100 A
最高 ID (@ TC=25°C)	-100 A
最高 IDpuls	-400 A
最高 Ptot	300 W
QG (typ @10V)	-281 nC
最高 RDS (on) (@10V)	11 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	16 mΩ
最高 VDS	-60 V
VGS(th)	-1.5 V
安装	SMT
封装	D2PAK (TO-263)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
引脚数量	3 Pins
极性	P
预算价格€/1k	1.47

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IPB110P06LM

OptiMOS ™ D²PAK 封装中的 60V P 沟道 MOSFET 代表了针对电池管理、负载开关和反极性保护应用的新技术。它适用于正常和逻辑电平，具有较宽的 RDS(on) 范围，并且由于 Qg较低，提高了低负载下的效率。

产品详情

特性

应用

参数

4000-306-326