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BSO613SPV G

在产

英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格(例如导通电阻和品质因数特性)的最高质量和性能要求。

Infineon英飞凌 BSO613SPV G 产品介绍
2026-04-14 0次

特性


  • 增强模式
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • Dv/dt 额定值
  • 无铅镀铅
符合 RoHS 标准,无卤素
  • 符合 AEC Q101 要求

  • 应用


    汽车48V电池管理系统(BMS), 电动汽车牵引逆变器, 中压 (MV) 驱动, 家用机器人

    参数


    类型

    描述

    Ciss

    700 pF

    Coss

    235 pF

    最高 ID (@25°C)

    -3.44 A

    最高 ID

    -3.44 A

    最高 IDpuls

    -13.8 A

    最高 Ptot

    2.5 W

    QG (typ @10V)

    20 nC

    最高 RDS (on) (@10V)

    130 mΩ

    Rth

    100 K/W

    最高 VDS

    -60 V

    VGS(th) 范围

    -2.1 V 至 -4 V

    安装

    SMD

    封装

    SO-8

    工作温度 范围

    -55 °C 至 150 °C

    极性

    P

    模式

    Enhancement

    预算价格€/1k

    0.34

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    2026-04-14 211次
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    2026-04-14 277次
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    2026-04-14 265次
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    2026-04-14 331次
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  • CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、78 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装,专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。
    2026-04-14 304次
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