Infineon英飞凌_SPD04P10P G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 SPD04P10P G 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

增强模式
雪崩额定
无铅镀铅；符合 RoHS 标准

应用

轻型电动车解决方案

参数

类型	描述
Ciss	240 pF
Coss	62 pF
最高 ID (@25°C)	-4 A
最高 IDpuls	-16 A
最高 Ptot	38 W
QG (typ @10V)	9 nC
最高 RDS (on) (@10V)	1000 mΩ
Rth	3.9 K/W
最高 VDS	-100 V
VGS(th)	-3 V
安装	SMD
封装	DPAK (TO-252)
工作温度范围	-55 °C 至 175 °C
极性	P
模式	Enhancement
预算价格€/1k	0.28

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SPD04P10P G

英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

应用

参数

4000-306-326