Infineon英飞凌_SPB18P06P G_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 SPB18P06P G 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

增强模式
雪崩额定值
快速开关
Dv/dt 额定值
无铅镀铅

符合 RoHS 标准，无卤素

符合 AEC Q101 要求

参数

类型	描述
Ciss	690 pF
Coss	230 pF
最高 ID	-18.6 A
最高 IDpuls	-74.8 A
最高 Ptot	80 W
QG (typ @10V)	18.6 nC
最高 RDS (on) (@10V)	130 mΩ
最高 RthJC	1.85 K/W
Rth	1.85 K/W
最高 VDS	-60 V
VGS(th)	-3 V
安装	SMD
封装	D2PAK (TO-263)
工作温度范围	-50 °C 至 175 °C
极性	P
模式	Enhancement
预算价格€/1k	0.41

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SPB18P06P G

英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

参数

4000-306-326