Infineon英飞凌_SI4435DY_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 SI4435DY 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

符合 RoHS 规定
行业领先的品质
P沟道MOSFET

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	-8 A
最高 Ptot (@ TA=25°C)	2.5 W
Qgd	8 nC
QG (typ @10V)	40 nC
最高 RDS (on) (@10V)	20 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	35 mΩ
最高 RthJA	50 K/W
最高 Tj	150 °C
最高 VDS	-30 V
最低 VGS(th)	-1 V
最高 VGS	20 V
安装	SMD
封装	SO-8
极性	P
湿度敏感等级	1
预算价格€/1k	0.22

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