Infineon英飞凌_BSD235C_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSD235C 产品介绍

2026-04-14 0次

特性

互补 P + N 沟道
增强模式
雪崩额定值
符合 AEC Q101 要求
100% 无铅；符合 RoHS 标准

应用

电力传输和配电

参数

类型	描述
Ciss	47 pF, 37 pF
Coss	24 pF, 17 pF
最高 ID (@25°C)	0.53 A, 0.95 A
最高 IDpuls	3.8 A, -2.1 A
最高 Ptot	0.5 W
最高 QG (typ @4.5V)	0.4 nC
最高 RDS (on) (@2.5V)	2100 mΩ, 600 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	1200 mΩ, 350 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V LL)	1200 mΩ, 350 mΩ
最高 VDS	20 V, -20 V
VGS(th) 范围	0.7 V 至 1.2 V, -1.2 V 至 -0.6 V
安装	SMD
封装	SOT-363
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
引脚数量	6 Pins
极性	N+P
模式	Enhancement
特殊功能	Small Signal
预算价格€/1k	0.06

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BSD235C

互补功率 MOSFET（同一封装内的 n 沟道和 p 沟道功率 MOSFET）是英飞凌著名的低压 OptiMOS ™系列的一部分，该系列是高效发电解决方案的市场领导者（例如太阳能微型逆变器）、电源（例如服务器和电信）和功耗（例如电动汽车

特性

应用

参数

4000-306-326