Infineon英飞凌_BSP373N_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSP373N 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

低 RDS(on)，效率高
小型封装节省 PCB 空间
一流的质量和可靠性

特性

增强模式
正常级别
雪崩额定值
快速切换
dv/dt 额定值

无铅镀铅

符合 RoHS 标准，无卤素

符合汽车标准

支持 PPAP

应用

电动汽车牵引逆变器, 车载充电器（OBC）

参数

类型	描述
Ciss	199 pF
Coss	36 pF
最高 ID (@25°C)	1.8 A
最高 IDpuls	7.3 A
最高 Ptot	1.8 W
QG (typ @10V)	6.2 nC
最高 RDS (on) (@10V)	240 mΩ
最高 RthJA	110 K/W
Rth	25 K/W
最高 VDS	100 V
VGS(th) 范围	2.1 V 至 4 V
安装	SMD
封装	SOT-223
最高工作温度	150 °C
引脚数量	4 Pins
极性	N
模式	Enhancement
特殊功能	Small Power
预算价格€/1k	0.19

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BSP373N

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4000-306-326