Infineon英飞凌_BSS131I_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 BSS131I 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

快速切换
雪崩强度
一流的质量和可靠性
环保
实现稳健的设计

特性

100% 雪崩测试
逻辑级别
无铅电镀；符合 RoHS 规定
符合工业应用要求

应用

无线电动工具, 医疗保健, 家用电器, 工业自动化, 工业电机驱动和控制, 工业 4.0 的工业机器人系统解决方案, 家居和楼宇自动化

参数

类型	描述
最高 ID (@25°C)	0.121 A
QG (typ @4.5V)	1.11 nC
QG (typ @10V)	1.96 nC
最高 RDS (on) (@10V)	14000 mΩ
最高 RDS (on) (@4.5V)	20000 mΩ
最高 VDS	240 V
VGS(th) 范围	0.8 V 至 1.8 V
VGS(th)	1.4 V
封装	SOT-23
工作温度范围	-55 °C 至 150 °C
极性	N
特殊功能	Small Signal

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BSS131I

英飞凌的小信号和小功率 MOSFET 具有最佳的性价比和小尺寸封装，最适合广泛的应用和电路。这些包括低压驱动器、线性电池充电器、电池保护、负载开关、DC-DC转换器、反极性保护等。

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特性

应用

参数

4000-306-326