Infineon英飞凌_FS520R12A8P1B_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 FS520R12A8P1B 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

更高的温度循环能力
集成温度传感器
新型塑料材料
更好的温度能力
全新框架设计
降低系统 BOM 降低交流接点、触点、接触阻抗和接头温度
PressFIT压接技术
RoHS合规
完全无铅
卓越的可靠性

特性

VCES = 1200V，ICN = 520A
低电平 VCE,sat 和开关损耗
低 Qg 和 Crss
低寄生电感设计
Tvj,op = 175°C
片上温度传感器
4.2 kV 直流绝缘
高爬电距离和电气间隙
结构紧凑且功率密度高
直冷式针翅散热
PressFIT压接技术
RoHS & UL 94 V0合规

参数

类型	描述
VCES (Tvj=25°C typ)	1200 V
封装	HybridPACK™ Drive G2
技术	IGBT EDT 1200 V
推出年份	2026
特性	PinFin Base Plate, Short tabs
最高电压等级	1200 V
目前计划的可用性至少到	2038
系列	Silicon Carbide MOSFET Modules
认证标准	Automotive
配置	Sixpack

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FS520R12A8P1B

功率模块采用英飞凌新一代 1200V IGBT 芯片技术，针对中高功率等级的汽车电动传动系统应用进行了优化。

产品详情

特性

参数

4000-306-326