Infineon英飞凌_FS1150R08A8P3C_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 FS1150R08A8P3C 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

更高的温度循环能力
集成温度传感器
新型塑料材料
更好的温度能力
全新框架设计
降低系统 BOM
降低交流接点，触点，接触阻抗
降低引脚温度
PressFIT压接技术
RoHS合规
完全无铅
卓越的可靠性

特性

VCES = 750 V
ICN = 1150 A / ICRM = 2300 A
阻断电压750 V
低V_CE,sat
低开关损耗
低Qg和Crss
低杂散电感设计
4.2 kV 1秒绝缘
高爬电距离和电气间隙
直冷式PinFin基板
PCB和冷却器装配指南
PressFIT压接技术

参数

类型	描述
最高 RthJC	0.118 K/W
VCES (Tvj=25°C typ)	750 V
封装	HybridPACK™ Drive G2
技术	IGBT EDT3
推出年份	2025
特性	PinFin Base Plate, short tabs without hole
最高电压等级	750 V
目前计划的可用性至少到	2038
认证标准	Automotive
配置	Sixpack

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FS1150R08A8P3C

这款HybridPACK™ Drive G2 模块是一款非常紧凑的B6桥式功率模块，具有针对混合动力和电动汽车优化的增强型封装

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特性

参数

4000-306-326