Infineon英飞凌_FS410R12A7P1B_产品介绍- 万联芯城

Infineon英飞凌 FS410R12A7P1B 产品介绍

2026-04-14 0次

产品详情

更高的温度循环能力
集成温度传感器
新型塑料材料
更好的温度能力
PressFIT压接技术
RoHS合规
完全无铅
卓越的可靠性

特性

V_CES = 1200 V
I_CN = 410 A / ICRM = 820 A
低 V_CE，sat
低开关损耗
低 Q_g 和 C_rss
低杂散电感设计
T_vj,op = 175°C
集成片上温度传感器
直冷式 PinFin 基板
PCB和器件的组装指南
PressFIT压接技术
RoHS合规，不含铅

参数

类型	描述
IC(nom) / IF(nom)	300 A
VCES (Tvj=25°C typ)	1200 V
封装	HybridPACK™ Drive G2
技术	IGBT EDT1200
推出年份	2025
特性	PinFin Base Plate
最高电压等级	1200 V
目前计划的可用性至少到	2035
认证标准	Automotive
配置	Sixpack

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FS410R12A7P1B

功率模块采用英飞凌新一代 1200V IGBT 芯片技术，针对中高功率等级的汽车电动传动系统应用进行了优化。

产品详情

特性

参数

4000-306-326